变频电源设计：整流、驱动、逆变器、滤波模块细节

(1)由于IR2130中三路驱动高压侧功率MOS管的输出驱动器的电源是通过自举技术获得的，为了防止自举电容两端的电压放电，二极管应该是高频快速恢复二极管。为了防止自举电容器放电并导致其两端的电压低于欠压保护的阈值电压，电容器的值应该足够大。当驱动功率金属氧化物半导体器件的开关频率大于5千赫时，电容值不应小于0.1微法！

(2)由于红外2130中六个驱动器的输出阻抗较低，直接应用它来驱动功率金属氧化物半导体管会导致被驱动功率金属氧化物半导体器件的快速导通和关断，这可能导致被驱动功率金属氧化物半导体管的漏极和源极之间的电压振荡。为了避免这种现象，可以在驱动功率MOS管的栅极和IR2130的输出端之间串联一个功率为1/4 W、功率为15 ~ 22的无感电阻(对于小电流容量的功率MOS管，电阻值可以增加到30 ~ 50)！

根据DC电源的性质，逆变电路可分为两种类型：DC侧为电压型逆变电路，电压源，DC侧为电流型逆变电路电流源。三个单相逆变电路可以组合成一个三相逆变电路，其中三相逆变电路， 三相桥逆变电路使用最广泛。三相桥逆变电路的基本工作模式也是180度导通模式，即每个桥臂的导通角为180度，同相(同一个桥臂)的上下桥臂交替导通，各相开始导通的角度依次相差120度。

这样，在任何时刻，都会有三个桥臂同时导通，或者上桥臂下的两个桥臂同时导通，或者上两个桥臂下的桥臂同时导通。给出了本文设计的三相桥逆变电路如图5，其中UA和UB之间的电压为整流后的DC电压。本设计采用低成本的金属氧化物半导体功率晶体管作为三相逆变电路的开关器件，其耐受电流值为18安，耐受电压值为200伏，开关频率可达兆级赫兹以上。

续流二极管并联在每个金属氧化物半导体管的后面。续流二极管是负载向DC侧反馈能量的通道，在使负载电流连续方面发挥作用。